Modelizacion microscopica del ruido electronico en estructuras mesfet y hemt submicrometricas. Analisis numerico y experimental

Resumo

Utilizando el método de Monte Carlo se ha estudiado la dinámica de las partículas y el comportamiento del ruido y sus fuentes locales en dispositivos de complejidad creciente. Así, hemos comenzado con simulaciones unidimensionales de estructuras simples, pasando luego al análisis bidimensional de MESFETs de GaAs y HEMTs de GaAs/AlGaAs ambos sin puerta. Para estas estructuras sin puerta (pero con geometría recessed) se ha validado el modelo de simulación mediante la comparación de sus resultados con las medidas experimentales de características I-V y temperatura del ruido en estructuras reales. Finalmente se ha llevado a cabo el análisis de MESFETs y HEMTs con puerta de 0.1rm (recessed gate) para los cuales se han calculado (por primera vez utilizando el método de Monte Carlo) los parámetros de ruido P, R y C y la figura mínima del ruido. La comparación entre ambos tipos de dispositivos nos ha permitido explicar las causas de la superioridad de los HEMTs con respecto a los MESFETs tanto en rapidez como en nivel de ruido.