Microscopic analysis of the influence of Ge profiles on the current-noise operation mode of n-Si/p-Si1-xGex heterostructures

  1. Martín, M.J.
  2. Pardo, D.
  3. Velázquez, J.E.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 15

Nummer: 3

Seiten: 277-285

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/15/3/310 GOOGLE SCHOLAR
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