Monte Carlo analysis of the noise behavior in Si bipolar junction transistors and SiGe heterojunction bipolar transistors at radio frequencies

  1. Martín-Martínez, M.J.
  2. Pérez, S.
  3. Pardo, D.
  4. González, T.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 90

Nummer: 3

Seiten: 1582-1588

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1384850 GOOGLE SCHOLAR