3D monte carlo analysis of discrete dopant effects on electron noise in Si devices

  1. Dollfus, P.
  2. Velázquez, J.E.
  3. Bournel, A.
  4. Galdin-Retailleau, S.
Konferenzberichte:
2004 10th International Workshop on Computational Electronics, IEEE IWCE-10 2004, Abstracts

ISBN: 9780780386495

Datum der Publikation: 2004

Seiten: 58-59

Art: Konferenz-Beitrag