Electronic transport in laterally asymmetric channel MOSFET for RF analog applications

  1. Rengel, R.
  2. Martín, M.J.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2010

Volum: 57

Número: 10

Pàgines: 2448-2454

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2010.2056290 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus