Anomalous DC and RF behavior of virgin AlGaN/AlN/GaN HEMTs

  1. Sánchez-Martín, H.
  2. García-Pérez, Ó.
  3. Pérez, S.
  4. Altuntas, P.
  5. Hoel, V.
  6. Rennesson, S.
  7. Cordier, Y.
  8. González, T.
  9. Mateos, J.
  10. Íǹiguez-De-La-Torre, I.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2017

Volumen: 32

Número: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6641/AA5473 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus