Design and realization of sub 100nm gate length HEMTs

  1. Parenty, T.
  2. Bollaert, S.
  3. Mateos, J.
  4. Wallart, X.
  5. Cappy, A.
Actas:
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

Año de publicación: 2001

Páginas: 626-629

Tipo: Aportación congreso

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Fuente de los datos: Scopus