Dielectric Passivation and Edge Effects in Planar GaN Schottky Barrier Diodes

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Año de publicación: 2021

Volumen: 68

Número: 9

Páginas: 4296-4301

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2021.3097703 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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