Formalismos agujeroun estudio de la correlacion electronica en sistemas bielectronicos

  1. HIGUERAS SANZ, MARIA INMACULADA
unter der Leitung von:
  1. José Largo Cabrerizo Doktorvater/Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad de Valladolid

Jahr der Verteidigung: 1984

Gericht:
  1. Gonzalo Martín Guzmán Präsident/in
  2. José Largo Cabrerizo Sekretär/in
  3. Eulogio Oset Baguena Vocal
  4. José María Hernando Huelmo Vocal
  5. Luis María Tel Alberdi Vocal

Art: Dissertation

Teseo: 10456 DIALNET

Zusammenfassung

Se han estudiado los efectos de correlacion de coulomb y fermi en los estados 1 5 y 2 elevado a 3 s del helio respectivamente; mediante el empleo efectivo de las funciones de densidad de probabilidad de la distancia de par electronico desarrollandose un formalismo general que 1) permite separar nitidamente los efectos de correlacion de coulomb y de fermi; y 2) posibilita la descripcion de la correlacion a diferentes niveles para estados s de sistemas bielectronicos. Con todo se ha dado una respuesta no-ambigua a lo que significa describir bien la totalidad de los agujeros de correlacion.