Optimization of the Epilayer Design for the Fabrication of Doped GaN Planar Gunn Diodes

  1. Garcia-Sanchez, S.
  2. Iniguez-De-La-Torre, I.
  3. Perez, S.
  4. Gonzalez, T.
  5. Mateos, J.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Datum der Publikation: 2022

Ausgabe: 69

Nummer: 2

Seiten: 514-520

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2021.3134927 GOOGLE SCHOLAR
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