Characterization of topologically protected surface states in three-dimensional topological crystalline insulators

  1. Mehdipour, Sanaz
Dirigida por:
  1. Enrique D铆ez Fern谩ndez Director

Universidad de defensa: Universidad de Salamanca

Fecha de defensa: 26 de noviembre de 2021

Tribunal:
  1. Francisco Dom铆nguez-Adame Acosta Presidente/a
  2. Mario Amado Montero Secretario
  3. Vittorio Bellani Vocal
Departamento:
  1. F脥SICA FUNDAMENTAL

Tipo: Tesis

Teseo: 699933 DIALNET lock_openTESEO editor

Resumen

In three-dimensional topological Insulators, the topologically protected helical surface conducting states exist along with the bulk insulating states. In a class of topological insulators, namely topological crystalline insulators, the protection role of surface states is taken by crystalline symmetry instead of time-reversal symmetry. These exotic characteristics bring about potential applications in logic devices, thermoelectricity or quantum computers [18]. However, due to some critical challenges (like their compatibility with the existing devices, their fabrication processes as well as their compatibility with topological or quantum behavior under external stimuli, working temperature range, cost efficiency, practical structure and ease of use), topological materials are still lagging in device applications [18]. In this regard, this thesis aims at investigating the fundamental properties of a topological crystalline insulator, 饾憙饾憦0.77饾憜饾憶0.23饾憜饾憭, based on Raman characterization at different temperature ranges and low magnetic fields as well as magneto-transport of its Hall bar devices at low temperatures, albeit with meeting challenges in fabrication and characterization. The Raman response of this material at relaxed conditions confirms the presence of topological surface states. Moreover, temperature-dependent Raman characterizations indicate that both surface states and their bulk counterparts contribute to the Raman response considering the interplay of electrons and phonons. Furthermore, our findings based on magnetic-field dependent Raman characterization demonstrate that the surface states are topologically protected by symmetry. These Raman results are also corroborated with magnetotransport characterizations, revealing the prominent role of an inherent attribute of this material based on strong spin-orbit coupling. Our results pave the way for electron studies in field-effect transistors based on topological phase transitions. ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ En aislantes topol贸gicos tridimensionales, los estados conductibles superficiales helicoidales protegidos topol贸gicamente coexisten a la vez con los estados aislantes en masa. Dentro de la clase de los aislantes topol贸gicos, es decir aislantes cristalinos topol贸gicos, el rol de protecci贸n de estados superficiales se cumple por simetr铆a cristalina en vez de simetr铆a de inversi贸n de tiempo. Estas caracter铆sticas ex贸ticas crean aplicaciones potenciales para dispositivos l贸gicos, termoelectricidad u ordenadores cu谩nticos [18]. Sin embargo, debido a algunos desaf铆os cr铆ticos (como su compatibilidad con dispositivos existentes, sus procesos de fabricaci贸n adem谩s de con su compatibilidad con comportamiento topol贸gico o cu谩ntico bajo estimulo externo, rango de temperatura de funcionamiento, eficiencia de costo, estructura practica y facilidad de uso), estos materiales topol贸gicos aun no consiguen alcanzar una velocidad alta en los dispositivos [18]. A este respeto, esta tesis intenta investigar las propiedades fundamentales de un aislante cristalino tipol贸gico, Pb0.77Sn0.23Se, basada en la caracterizaci贸n de Raman en Rangos de temperatura diversos y campos magn茅ticos bajos adem谩s de transporte magn茅tico de sus dispositivos de barra de Hall a temperaturas bajas, aunque cumpliendo desaf铆os en la fabricaci贸n y caracterizaci贸n. La respuesta de Raman de este material en condiciones relajadas confirma la presencia de estados superficiales topol贸gicos. Por otra parte, las caracterizadores de Raman que dependen de la temperatura indican que los estados superficiales y sus equivalentes en masa contribuyen a la respuesta de Raman tomando en cuenta la interacci贸n de electrones y fonones. Adem谩s, nuestros descubrimientos basados en caracterizaci贸n de Raman que dependen de campos magn茅ticos demuestran que los estados superficiales est谩n protegidos topol贸gicamente por la simetr铆a. Estos resultados est谩n tambi茅n corroborados por caracterizaciones de transporte magn茅tico, revelando el rol destacado de un atributo inherente de este material basado en el fuerte acoplamiento orbita-vuelta. Nuestros resultados allanan el camino para estudios de electrones en transistores de efecto campo basados en transiciones de fases topol贸gicas.