Comparison of GaN and InGaAs high electron mobility transistors as zero-bias microwave detectors
- Paz-Martínez, G.
- Íñiguez-De-La-Torre, I.
- Sánchez-Martín, H.
- García-Vasallo, B.
- Wichmann, N.
- González, T.
- Mateos, J.
ISSN: 1089-7550, 0021-8979
Datum der Publikation: 2022
Ausgabe: 132
Nummer: 13
Art: Artikel