Reverse-bias current hysteresis at low temperature in GaN Schottky barrier diodes

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2024

Volumen: 135

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/5.0177853 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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