El transistor bipolar de Heterounión (HBT) de InGaP/GaAs

  1. Floriot, D.
  2. Gutiérrez Conde, Pedro Manuel
  3. Pérez Santos, María Susana
  4. Delage, S. L
  5. Obregón, J.
Zeitschrift:
Revista española de electrónica

ISSN: 0482-6396

Datum der Publikation: 1999

Nummer: 541

Seiten: 74-80

Art: Artikel

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Zusammenfassung

Partiendo de una somera descripción de los susbtratos utilizados habitualmente para la fabricación de los HBT's, se describen de manera detallada las principales topologías y circuitos equivalentes implementados en los simuladores para un transistor de potencia implementados en los simuladores para un transistor de potencia InGaP/GaAs. Finalmente se dedica especial atención a los fenómenos de disipación térmica y ruido de baja frecuencia en dicho dispositivo.

Fuente de los datos: Dialnet