El transistor bipolar de Heterounión (HBT) de InGaP/GaAs
- Floriot, D.
- Gutiérrez Conde, Pedro Manuel
- Pérez Santos, María Susana
- Delage, S. L
- Obregón, J.
ISSN: 0482-6396
Ano de publicación: 1999
Número: 541
Páxinas: 74-80
Tipo: Artigo
Outras publicacións en: Revista española de electrónica
Resumo
Partiendo de una somera descripción de los susbtratos utilizados habitualmente para la fabricación de los HBT's, se describen de manera detallada las principales topologías y circuitos equivalentes implementados en los simuladores para un transistor de potencia implementados en los simuladores para un transistor de potencia InGaP/GaAs. Finalmente se dedica especial atención a los fenómenos de disipación térmica y ruido de baja frecuencia en dicho dispositivo.