Simulation of electron transport in silicon: Impact-ionization processes

  1. Martin, M.J.
  2. Gonzalez, T.
  3. Velazquez, J.E.
  4. Pardo, D.
Aldizkaria:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Argitalpen urtea: 1993

Alea: 8

Zenbakia: 7

Orrialdeak: 1291-1297

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/0268-1242/8/7/017 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus