Influence of Al mole fraction on the noise performance of GaAs/AlxGa1-xas HEMT's

  1. Mateos, J.
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  3. Gonzalez, T.
  4. Tadyszak, P.
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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 1998

Volumen: 45

Número: 9

Páginas: 2081-2083

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/16.711380 GOOGLE SCHOLAR
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