Monte Carlo study of sub-0.1 μm Si0.97C0.03/Si MODFET: electron transport and device performance

  1. Dollfus, P.
  2. Galdin, S.
  3. Hesto, P.
  4. Velazquez, J.E.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 47

Nummer: 6

Seiten: 1247-1250

Art: Artikel

DOI: 10.1109/16.842969 GOOGLE SCHOLAR