Improved monte carlo algorithm for the simulation of doped ahnas/galnas hemt's

  1. Mateos, J.
  2. Gonzalez, T.
  3. Pardo, D.
  4. Hoel, V.
  5. Happy, H.
  6. Cappy, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2000

Volum: 47

Número: 1

Pàgines: 250-253

Tipus: Article

GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus