Microscopic analysis of voltage noise operation mode in SiGe/Si bipolar heterojunctions: Influence of the SiGe strained layer

  1. Martín, M.J.
  2. Pardo, D.
  3. Velázquez, J.E.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 88

Nummer: 3

Seiten: 1511-1514

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.373847 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus