Monte Carlo analysis of the noise behavior in Si bipolar junction transistors and SiGe heterojunction bipolar transistors at radio frequencies

  1. Martín-Martínez, M.J.
  2. Pérez, S.
  3. Pardo, D.
  4. González, T.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2001

Volumen: 90

Número: 3

Páginas: 1582-1588

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1384850 GOOGLE SCHOLAR
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