Anomalous behavior of buried strained-Si channel heterojunction fets at low temperatures
- Gaspari, V.
- Fobelets, K.
- Velazquez-Perez, J.E.
- Hackbarth, T.
- König, U.
Actes:
Proceedings - Electrochemical Society
Any de publicació: 2004
Volum: 7
Pàgines: 313-318
Tipus: Aportació congrés