Anomalous behavior of buried strained-Si channel heterojunction fets at low temperatures
- Gaspari, V.
- Fobelets, K.
- Velazquez-Perez, J.E.
- Hackbarth, T.
- König, U.
Konferenzberichte:
Proceedings - Electrochemical Society
Datum der Publikation: 2004
Ausgabe: 7
Seiten: 313-318
Art: Konferenz-Beitrag