Dynamic threshold mode operation of p-channel Si and strained-SiGe MOSFETs between 10 K and 300 K

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2004

Volumen: 19

Número: 9

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/19/9/L01 GOOGLE SCHOLAR
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