Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for low-noise applications

  1. Mateos, J.
  2. González, T.
  3. Pardo, D.
  4. Bollaert, S.
  5. Parenty, T.
  6. Cappy, A.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 51

Nummer: 8

Seiten: 1228-1233

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2004.832095 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus