Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for low-noise applications

  1. Mateos, J.
  2. González, T.
  3. Pardo, D.
  4. Bollaert, S.
  5. Parenty, T.
  6. Cappy, A.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2004

Alea: 51

Zenbakia: 8

Orrialdeak: 1228-1233

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2004.832095 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus