Kink-effect related noise in short-channel InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors

  1. Vasallo, B.G.
  2. Mateos, J.
  3. Pardo, D.
  4. González, T.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2004

Alea: 95

Zenbakia: 12

Orrialdeak: 8271-8274

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1745119 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus