3D monte carlo analysis of discrete dopant effects on electron noise in Si devices

  1. Dollfus, P.
  2. Velázquez, J.E.
  3. Bournel, A.
  4. Galdin-Retailleau, S.
Actas:
2004 10th International Workshop on Computational Electronics, IEEE IWCE-10 2004, Abstracts

ISBN: 9780780386495

Año de publicación: 2004

Páginas: 58-59

Tipo: Aportación congreso