Sensitivity of single-and double-gate MOS architectures to residual discrete dopant distribution in the channel

  1. Dollfus, P.
  2. Bournel, A.
  3. Velázquez, J.E.
Revista:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1572-8137,  1569-8025

Ano de publicación: 2006

Volume: 5

Número: 2-3

Páxinas: 119-123

Tipo: Artigo

DOI: 10.1007/S10825-006-8830-5 GOOGLE SCHOLAR
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