Kink effect and noise performance in isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistors

  1. Vasallo, B.G.
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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Año de publicación: 2012

Volumen: 27

Número: 6

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/27/6/065018 GOOGLE SCHOLAR
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