Damping of acoustic flexural phonons in silicene: Influence on high-field electronic transport

  1. Rengel, R.
  2. Iglesias, J.M.
  3. Hamham, E.M.
  4. Martín, M.J.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2018

Volumen: 33

Número: 6

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6641/AAC0A2 GOOGLE SCHOLAR
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