Impact ionization and band-to-band tunneling in InxGa1-xAs PIN ungated devices: A Monte Carlo analysis
- Vasallo, B.G.
- González, T.
- Talbo, V.
- Lechaux, Y.
- Wichmann, N.
- Bollaert, S.
- Mateos, J.
ISSN: 1089-7550, 0021-8979
Any de publicació: 2018
Volum: 123
Número: 3
Tipus: Article