Analysis of Surface Charge Effects and Edge Fringing Capacitance in Planar GaAs and GaN Schottky Barrier Diodes

  1. Orfao, B.
  2. Vasallo, B.G.
  3. Moro-Melgar, D.
  4. Perez, S.
  5. Mateos, J.
  6. Gonzalez, T.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Any de publicació: 2020

Volum: 67

Número: 9

Pàgines: 3530-3535

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2020.3007374 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus