Analysis of Surface Charge Effects and Edge Fringing Capacitance in Planar GaAs and GaN Schottky Barrier Diodes

  1. Orfao, B.
  2. Vasallo, B.G.
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  4. Perez, S.
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  6. Gonzalez, T.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Datum der Publikation: 2020

Ausgabe: 67

Nummer: 9

Seiten: 3530-3535

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2020.3007374 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus