Analysis of trap states in AlGaN/GaN self-switching diodes via impedance measurements

  1. Pérez-Martín, E.
  2. Vaquero, D.
  3. Sánchez-Martín, H.
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  5. Raposo, V.J.
  6. González, T.
  7. Mateos, J.
  8. Iñiguez-de-la-Torre, I.
Revista:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Año de publicación: 2020

Volumen: 114

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MICROREL.2020.113806 GOOGLE SCHOLAR
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