Responsivity enhancement of a strained silicon field-effect transistor detector at 0.3 THz using the terajet effect

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Revista:
Optics Letters

ISSN: 1539-4794 0146-9592

Año de publicación: 2021

Volumen: 46

Número: 13

Páginas: 3061-3064

Tipo: Artículo

DOI: 10.1364/OL.431175 GOOGLE SCHOLAR