Medida de parametros atomicos en un plasma de silicio
- GONZALEZ FERNANDEZ, VICTOR R.
- Santiago Mar Sardaña Zuzendaria
Defentsa unibertsitatea: Universidad de Valladolid
Fecha de defensa: 1999(e)ko uztaila-(a)k 09
- Manuel Quintanilla Montón Presidentea
- Juan Luis González Vízmanos Idazkaria
- Isabel Tanarro Onrubia Kidea
- Klaus Grützmacher Kidea
- Luis Roso Franco Kidea
Mota: Tesia
Laburpena
En este trabajo se determinan los parametros stark del silicio una y dos veces ionizado, asi como las probabilidades de transición del silicio una vez ionizado, en un plasma pulsado cuyo estado fisico se asemeja al de atmosferas estelares de interes astrofisico y al de varios plasmas de interes industrial y de laboratorio. Se ha realizado un exhaustivo estudio del estado de equilibrio termodinam ico del plasma generado mediante el dispositivo experimental, utilizando los modelos de plasma en equilibrio local parcial y de dos temperaturas. Para llevar a cabo el diagnostico del plasma de silicio ha sido precisa la construcción y puesta a punto de varios dispositivos experimentales, asi como el desarrollo de diversas tecnicas experimentales y de diagnostico. Como resultado del trabajo se ha podido dilucidar la indeterminación debida a la gran dispersión existente entre los resultados ofrecidos por trabajos previos y establecer los modelos teoricos mas aproximados a los resultados experimentales.