Effect of gallium doping on structural and transport properties of the topological insulator Bi2Se3grown by molecular beam epitaxy

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2022

Volumen: 132

Número: 11

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/5.0107004 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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