Comparison of GaN and InGaAs high electron mobility transistors as zero-bias microwave detectors

  1. Paz-Martínez, G.
  2. Íñiguez-De-La-Torre, I.
  3. Sánchez-Martín, H.
  4. García-Vasallo, B.
  5. Wichmann, N.
  6. González, T.
  7. Mateos, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2022

Volumen: 132

Número: 13

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/5.0111114 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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