0.12 mu m gate length In(0.52)Al(0.48)AS/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate

  1. Bollaert, S
  2. Wallart, X
  3. Lepilliet, S
  4. Cappy, A
  5. Jalaguier, E
  6. Pocas, S
  7. Aspar, B
  8. Mateos, J
Colección de libros:
COMPOUND SEMICONDUCTORS 2001
  1. Arakawa, Y (coord.)
  2. Hirayama, Y (coord.)
  3. Kishino, K (coord.)
  4. Yamaguchi, H (coord.)

ISSN: 0951-3248

ISBN: 0-7503-0856-7

Año de publicación: 2002

Páginas: 101-105

Congreso: 28th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2001)

Tipo: Aportación congreso

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Fuente de los datos: WoS