Tribunales de tesis (6)

  1. Presidente del tribunal

    Compact dc modeling of tunnel-fets 2019

    Universitat Rovira i Virgili

    HORST , FABIAN

  2. Presidente del tribunal

    Experimental and simulation study of defects impact on the variability of mos structures 2018

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Couso Fontanillo, Carlos

  3. Vocal del tribunal

    Modelling of field-effect transistors based on 2D materials targeting high-frequency applications / 2017

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Pasadas Cantos, Francisco

  4. Vocal del tribunal

    Aplicacion de la tecnica del pseudo-transistor sobre obleas de silicio-sobre-aislante 2016

    Universidad de Granada

    Fernández Sánchez, Cristina

  5. Vocal del tribunal

    Study and simulation of advanced si-based nanodevices: schottky-barrier mosfets and tunnel fets 2012

    Universidad de Granada

    Padilla de la Torre, José Luis

  6. Vocal del tribunal

    Paralelización y optimización de un Simulador 2D Monte Carlo sobre arquitectura Grid y cluster: estudio de fluctuaciones en transistores MOSFET basados en SOI 2011

    Universidade de Santiago de Compostela

    Valín Ferreiro, Raúl