Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia

  1. Pascual, Elena
Dirigida por:
  1. María Jesús Martín Martínez Directora
  2. Raúl Rengel Estévez Director

Universidad de defensa: Universidad de Salamanca

Fecha de defensa: 11 de junio de 2010

Tribunal:
  1. Tomás González Sánchez Presidente
  2. Beatriz García Vasallo Secretaria
  3. Antonio García Loureiro Vocal
  4. David Jimenez Jimenez Vocal
  5. Andrés Godoy Medina Vocal
Departamento:
  1. FÍSICA APLICADA

Tipo: Tesis

Teseo: 306529 DIALNET lock_openGREDOS editor

Resumen

[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.