Forschungsprojekt
RTI2018-097180-B-I00
Nueva generación de transistores FET para tecnología de THz
date_range
Dauer von 01 von Januar von 2019 bis 30 von September von 2022
(45 Monate)
Forscher/innen
Yahya Moubarak
Meziani
Verantwortlich
Jesús Enrique
Velázquez Pérez
Verantwortlich