Monte Carlo study of sub-0.1 μm Si0.97C0.03/Si MODFET: electron transport and device performance

  1. Dollfus, P.
  2. Galdin, S.
  3. Hesto, P.
  4. Velazquez, J.E.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2000

Volumen: 47

Número: 6

Páginas: 1247-1250

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/16.842969 GOOGLE SCHOLAR
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