Anomalous behavior of buried strained-Si channel heterojunction fets at low temperatures

  1. Gaspari, V.
  2. Fobelets, K.
  3. Velazquez-Perez, J.E.
  4. Hackbarth, T.
  5. König, U.
Actas:
Proceedings - Electrochemical Society

Año de publicación: 2004

Volumen: 7

Páginas: 313-318

Tipo: Aportación congreso