Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for low-noise applications

  1. Mateos, J.
  2. González, T.
  3. Pardo, D.
  4. Bollaert, S.
  5. Parenty, T.
  6. Cappy, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2004

Volumen: 51

Número: 8

Páginas: 1228-1233

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2004.832095 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus