Kink-effect related noise in short-channel InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors

  1. Vasallo, B.G.
  2. Mateos, J.
  3. Pardo, D.
  4. González, T.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2004

Volumen: 95

Número: 12

Páginas: 8271-8274

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1745119 GOOGLE SCHOLAR