Effect of temperature on the transfer characteristic of a 0.5 μm-gate Si:SiGe depletion-mode n-MODFET

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  7. Papavassilliou, C.
Zeitschrift:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 224

Nummer: 1-4

Seiten: 390-393

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/J.APSUSC.2003.08.066 GOOGLE SCHOLAR
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