Effect of temperature on the transfer characteristic of a 0.5 μm-gate Si:SiGe depletion-mode n-MODFET

  1. Gaspari, V.
  2. Fobelets, K.
  3. Velazquez-Perez, J.E.
  4. Ferguson, R.
  5. Michelakis, K.
  6. Despotopoulos, S.
  7. Papavassilliou, C.
Aldizkaria:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Argitalpen urtea: 2004

Alea: 224

Zenbakia: 1-4

Orrialdeak: 390-393

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.1016/J.APSUSC.2003.08.066 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus