Monte Carlo study of kink effect in isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistors

  1. Vasallo, B.G.
  2. Rodilla, H.
  3. González, T.
  4. Moschetti, G.
  5. Grahn, J.
  6. Mateos, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2010

Volumen: 108

Número: 9

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.3503430 GOOGLE SCHOLAR
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